STMicroelectronics e GlobalFoundries hanno annunciato la costruzione di un impianto manifatturiero da 300 mm in Francia per far progredire l'ecosistema FD-SOI. La produzione dovrebbe raggiungere il picco nel 2026 per soddisfare le necessità di settori quali automotive e IoT.
Sorgerà a Crolles (Francia), accanto all'attuale impianto di STMicroelectronics, la nuova fabbrica produttiva congiunta di STMicroelectronics e GlobalFoundries per la realizzazione di semiconduttori su wafer di silicio da 300 mm.
Le due società hanno siglato un memorandum d'intesa per la costruzione di un impianto che nel 2026 dovrebbe arrivare a produrre a pieno regime fino 620.000 wafer da 300 mm l'anno (~42% ST e ~58% GF). Sono previste circa 1000 assunzioni per il nuovo sito.
Questo nuovo impianto supporterà varie tecnologie, in particolare le tecnologie basate sulla tecnologia FD-SOI, e coprirà diverse varianti. Tra queste, la tecnologia FDX di GF e la vasta roadmap tecnologica di ST fino ai 18 nanometri. Per entrambi la domanda dovrebbe rimanere sostenuta, soprattutto per le applicazioni automotive, IoT e mobile nei prossimi decenni.
Per il nuovo stabilimento ST e GF riceveranno sostegno finanziario significativo dallo stato francese, cosa resa possibile dopo l'approvazione dello European Chips Act, la legge con la quale si punta a riportare la capacità produttiva dell'UE al 20% del mercato mondiale entro il 2030.
"Questo nuovo impianto di produzione sosterrà la nostra ambizione di realizzare ricavi per 20 e oltre miliardi di dollari. La collaborazione con GF ci permetterà di procedere più speditamente, abbassare le soglie di rischio e rafforzare l'ecosistema FD-SOI europeo. Avremo una maggiore capacità per supportare i nostri clienti europei e globali nella transizione verso la digitalizzazione e la decarbonizzazione" ha dichiarato Jean-Marc Chery, President & CEO di STMicroelectronics.
"ST sta trasformando la sua base manifatturiera. Abbiamo già una posizione unica con il nostro impianto di wafer di silicio da 300 mm di Crolles, in Francia, che con l'annuncio di oggi sarà ulteriormente rafforzata. Continuiamo a investire nel nostro nuovo impianto di wafer di silicio da 300 mm di Agrate (vicino Milano), in ramp-up nella prima metà del 2023 e con la piena saturazione attesa entro la fine del 2025, così come nella nostra produzione basata su carburo di silicio e su nitruro di gallio e integrata verticalmente".
"Con l'annuncio di oggi, stiamo espandendo la presenza di GF nel dinamico ecosistema tecnologico dell'Europa e rafforzando la nostra posizione in quanto foundry di semiconduttori leader in Europa", ha dichiarato il Thomas Caulfield, CEO di GF. "La nostra impronta globale permette a GF non solo di soddisfare le esigenze di capacità dei nostri clienti, ma anche di fornire loro una catena di fornitura sicura. L'investimento in partenariato con il Governo francese, unito ai nostri contratti a lungo termine con i clienti, crea il modello economico corretto per l'investimento di GF".
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